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硅靶,高纯硅靶,镀膜硅靶,多晶硅靶

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详细介绍

硅 元素符号:si 原子量:28.0855 熔点:1410℃ 沸点:2355℃ 密度:3.42g/cm3 折射率:3.42 电阻率/μω.cm:500 线膨胀系数/℃-1:3.0×10-6 蒸发温度:饱和蒸汽压1.33pa时1350℃ 蒸发源材料:be、zro2、tho2、c(坩埚) 主要用途:主要用于制造整流器、二极管、晶体管、光电池、太阳能电池、原子能电池、红外线探测器、以及电子致冷等半导体器件及 磁控溅射和镀膜溅射等等电脑、电视各种显示屏,其阻值低,抗干拢率高 。 分析报告:(99.99%)in ppm 元素 检测值ppm 元素 检测值ppm 元素 检测值ppm iron (fe) 35 copper(cu) <20 nickel (ni) <10 chromium (cr)<20 manganese (mn) 14aluminium(al)16 titanium(ti) 22 本产品的品名是多晶硅,牌号是纯度99.99%,产地是德金瑞兴,硅含量≥是99.99%(%)

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